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PMV450ENEAR  与  BSS670S2L H6327  区别

型号 PMV450ENEAR BSS670S2L H6327
唯样编号 A-PMV450ENEAR A-BSS670S2L H6327
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 650mΩ@270mA,10V
上升时间 - 25ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 2.26nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 600mS
封装/外壳 SOT23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.8A 540mA
配置 - Single
输入电容 101pF -
长度 - 2.9mm
下降时间 - 24ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 0.323W 360mW
输出电容 10pF -
典型关闭延迟时间 - 21ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS670S2
Rds On(max)@Id,Vgs 380mΩ@900mA,10V -
典型接通延迟时间 - 9ns
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
560+ :  ¥0.4642
1,000+ :  ¥0.3627
1,500+ :  ¥0.2973
3,000+ :  ¥0.2585
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV450ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV450ENEA_SOT23 N-Channel 0.323W -55°C~150°C ±20V 60V 0.8A 车规

¥0.4642 

阶梯数 价格
560: ¥0.4642
1,000: ¥0.3627
1,500: ¥0.2973
3,000: ¥0.2585
0 当前型号
BSS670S2L H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS670S2LH6327XTSA1_55V 540mA 650mΩ@270mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规

暂无价格 3,000 对比
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@1.2A,10V N-Channel 60V 1.2A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
SSM3K2615R,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 60 V 2A(Ta)

暂无价格 0 对比

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